掃描電鏡透射電鏡是材料表征的核心設備，操作精度要求較高，任何細節疏漏都可能導致樣品損壞、數據失真甚至設備故障。這份“避坑指南”針對兩類電鏡的共性風險與專屬痛點，從樣品制備、開機調試、成像操作到關機維護，梳理關鍵“坑點”及規避方案，助力實驗高效安全開展。
一、樣品制備：規避“源頭性失效”風險
樣品問題是電鏡操作的首要“坑點”，兩類電鏡需各有側重。SEM避坑核心是“導電與干燥”：絕緣樣品（如聚合物、陶瓷）未做噴金/噴碳處理，會導致電荷積累，成像出現亮斑或漂移，需根據樣品尺寸選擇合適的鍍膜厚度（通常5-20nm）；潮濕或含揮發性成分的樣品（如生物組織、凝膠）未全干燥，會污染真空系統，需通過冷凍干燥或臨界點干燥處理，避免直接放入鏡筒。
TEM避坑關鍵在“薄與凈”：樣品厚度超過100nm會導致電子束無法穿透，需用離子減薄或超薄切片技術控制厚度，金屬樣品需薄至50nm以下；樣品表面殘留研磨粉或清洗液，會在電子束轟擊下形成污染斑，需用無水乙醇超聲清洗后，用鑷子頂端輕取，避免手指接觸。此外，磁性樣品未做消磁處理，會吸附在物鏡上，需提前通過消磁儀處理，確保磁性消失。
二、開機與調試：避開“設備損傷”雷區
開機階段操作不當易引發不可逆損傷。共性避坑點：未檢查真空度直接升高壓，會導致電子槍放電，需確認真空系統達到規定值（SEM真空度≥10?³Pa，TEM高真空≥10??Pa）后再啟動高壓；忽視樣品臺歸零，直接移動樣品臺可能碰撞物鏡，開機前需將樣品臺復位至初始位置，并用低倍鏡校準。
專屬避坑點：SEM的電子槍燈絲未預熱直接加高壓，會縮短燈絲壽命，需先進行3-5分鐘預熱，待燈絲穩定后再調節高壓值；TEM的聚光鏡光闌未對中就調焦，會導致電子束偏移，需先通過光闌對中旋鈕將電子束聚焦于視場中心，再進行后續操作。
三、成像操作：防范“數據失真”陷阱
成像過程中的參數設置與操作手法，直接影響數據可靠性。SEM避坑：過度追求高放大倍數而忽視工作距離，會導致成像模糊，需根據放大倍數匹配工作距離（如1000倍對應工作距離10-15mm）；未調節對比度與亮度就拍照，會丟失細節信息，需通過灰度直方圖將信號強度調節至合適范圍。
TEM避坑：選區電子衍射時未縮小選區光闌，會導致衍射斑重疊，需根據樣品區域大小選擇對應尺寸的光闌；長時間聚焦同一區域，電子束損傷會導致樣品結構變化（如聚合物結晶度改變），需移動樣品臺更換區域，避免單點長時間照射。此外，兩類電鏡都需避免頻繁切換放大倍數，防止鏡筒內氣流波動影響成像穩定性。
四、關機與維護：遠離“遺留隱患”問題
關機操作的疏漏會為下次使用埋下隱患。核心避坑點：未降高壓直接關真空，會污染電子槍，需先將高壓降至0kV，再關閉真空系統；樣品未取出就關機，會導致樣品在真空環境中老化，需將樣品臺移出鏡筒，取出樣品并清潔樣品室。
日常維護避坑：SEM的二次電子探測器窗口未定期清潔，會導致信號衰減，需每月用洗耳球吹除灰塵；TEM的物鏡光闌易堆積碳污染，需每季度由專業人員拆解清潔，非專業人員嚴禁擅自拆卸。同時，需做好使用記錄，標注樣品類型、高壓值及異常情況，為設備維護提供依據。
電鏡操作的“避坑”核心，在于“敬畏設備、規范操作”，無論是新手還是熟手，都需嚴格遵循操作規程，關注細節差異，才能既保障設備安全，又獲得精準可靠的實驗數據。
主營產品：
顯微鏡，激光共聚焦，電鏡，x射線，激光捕獲顯微切割，熒光成像系統，DNA/RNA合成儀，半導體行業儀器設備，生命科學儀器，光刻機，
更新時間：2025-11-24 
瀏覽次數：82
返回頂部
您的位置：