簡要描述：簡要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

FPD-PECVD（Field Plasma Discharge Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一種電漿輔助化學氣相沉積技術，它利用電場產生的等離子體來促進化學氣相沉積過程。該技術在薄膜材料的制備中具有重要作用，特別是在大面積平板顯示（Flat Panel Display，FPD）制造領域。

FPD-PECVD技術通過在反應室內施加電場，激發氣體分子產生等離子體。等離子體中的高能粒子與化學前驅體分子發生反應，形成沉積在基板上的薄膜。與傳統的PECVD技術相比，FPD-PECVD能夠更有效地控制等離子體的分布和能量，從而提高薄膜的質量和均勻性。

該技術廣泛應用于液晶顯示器（LCD）和有機發光二極管（OLED）面板的生產中，用于沉積絕緣層、導電層、保護層等關鍵薄膜。FPD-PECVD技術的優化和應用對于提升顯示面板的性能和生產效率具有重要意義。

應用領域
非晶矽前驅物（a-Si）。氮化矽 (SiNx)。氧化矽，矽烷基(SiOx)。氧化矽，TEOS (SiOx)。
配置和優點	選件
客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃)。優異的薄膜均勻度小於±3％。每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線。遠程電漿進行腔體清潔。穩定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。	Cassette傳送站。 TEOS沉積製程。 OES、RGA或製程監控的額外備用端口。

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